Поведение гелия и особенности развития микроструктуры в модельных сплавах никеля и ванадия

Abstract

Методами просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) и термодесорбционной спектрометрии (ТДС) проведено сравнительное исследование поведения ионно-внедренного гелия и формирования газовой пузырьковой микроструктуры в ГЦК-(никель) и ОЦК-(ванадий) металлах в зависимости от концентрации легирующих элементов замещения (алюминий в Ni и титан в V). Показано, что при послерадиационных отжигах облученных при комнатной температуре образцов легирование в обоих типах сплавов существенно снижает размеры и увеличивает плотность формирующихся пузырьков. В сплавах Ni-Al при послерадиационном равномерном нагреве пики ТДС смещаются в область высоких температур с увеличением содержания Al, а в сплавах V-Ti - в область меньших температур c увеличением концентрации Ti, хотя эффективная энергия активации газовыделения в обоих случаях возрастает. Полученные данные обсуждены с точки зрения влияния легирования на механизмы роста и миграции пузырьков.

Методами просвічує електронної мікроскопії (ПЕМ) і термодесорбціонной спектрометрії (ТДС) проведено порівняльне дослідження поведінки іонно-впровадженого гелію і формування газової бульбашковій мікроструктури в ГЦК- (нікель) і ОЦК- (ванадій) металах залежно від концентрації легуючих елементів заміщення (алюміній в Ni і титан в V). Показано, що при післярадіаційних відпалів опромінених при кімнатній температурі зразків легування в обох типах сплавів істотно знижує розміри і збільшує щільність формуються бульбашок. У сплавах Ni-Al при післярадіаційна рівномірному нагріві піки ТДС зміщуються в область високих температур зі збільшенням вмісту Al, а в сплавах V-Ti - в область менших температур c збільшенням концентрації Ti, хоча ефективна енергія активації газовиділення в обох випадках зростає. Отримані дані обговорені з точки зору впливу легування на механізми росту та міграції бульбашок.

Transmission electron microscopy (TEM) and thermal desorption spectrometry (TDS), a comparative study of the behavior of ion-implanted helium gas bubble formation and microstructure in the fcc (nickel) and bcc (vanadium) metals depending on the concentration of substitutional alloying elements (aluminum in Ni titanium and V). It is shown that when posleradiatsionnyh annealing of irradiated samples at room temperature doping in both types of alloys significantly reduces the size and increases the density of the formed bubbles. In the Ni-Al alloys with uniform heating posleradiatsionnom TDS peaks shifted to higher temperatures with increasing content of Al, and alloys of V-Ti - to lower the temperature increase in the concentration c Ti, although the effective activation energy of gas evolution in both cases increases. The data obtained are discussed in terms of the effect of doping on the mechanisms of growth and migration of bubbles.