Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ

dc.contributor.authorИжнин, И.И.
dc.contributor.authorВакив, Н.М.
dc.contributor.authorИжнин, А.И.
dc.contributor.authorСыворотка, И.М.
dc.contributor.authorУбизский, С.Б.
dc.date.accessioned2014-01-25T21:05:42Z
dc.date.available2014-01-25T21:05:42Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractРазработан макетный образец монолитного твердотельного микрочипового лазера с пассивной модуляцией добротности па основе Nd:АИГ/Сr⁺⁴:АИГ с применением метода жидкофазной эпитаксии.uk_UA
dc.identifier.citationМикрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr⁺⁴:АИГ / И.И. Ижнин, Н.М. Вакив, А.И. Ижнин, И.М. Сыворотка, С.Б. Убизский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 30-32. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53680
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микро- и наноэлектроникаuk_UA
dc.titleМикрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГuk_UA
dc.title.alternativeМікрочипові лазери з пасивною модуляцією добротності на основі епітаксійних структур Nd:АІГ/Сr⁺⁴:АІГuk_UA
dc.title.alternativeMicrochip lasers with passive modulation of good quality on the basis of epitaxial structures Nd:YAG/Сr⁺⁴:YAGuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
08-Izhnin.pdf
Розмір:
95.78 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: