Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
dc.contributor.author | Ижнин, И.И. | |
dc.contributor.author | Вакив, Н.М. | |
dc.contributor.author | Ижнин, А.И. | |
dc.contributor.author | Сыворотка, И.М. | |
dc.contributor.author | Убизский, С.Б. | |
dc.date.accessioned | 2014-01-25T21:05:42Z | |
dc.date.available | 2014-01-25T21:05:42Z | |
dc.date.issued | 2005 | |
dc.description.abstract | Разработан макетный образец монолитного твердотельного микрочипового лазера с пассивной модуляцией добротности па основе Nd:АИГ/Сr⁺⁴:АИГ с применением метода жидкофазной эпитаксии. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr⁺⁴:АИГ / И.И. Ижнин, Н.М. Вакив, А.И. Ижнин, И.М. Сыворотка, С.Б. Убизский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 30-32. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 2225-5818 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53680 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Технология и конструирование в электронной аппаратуре | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.subject | Функциональная микро- и наноэлектроника | uk_UA |
dc.title | Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ | uk_UA |
dc.title.alternative | Мікрочипові лазери з пасивною модуляцією добротності на основі епітаксійних структур Nd:АІГ/Сr⁺⁴:АІГ | uk_UA |
dc.title.alternative | Microchip lasers with passive modulation of good quality on the basis of epitaxial structures Nd:YAG/Сr⁺⁴:YAG | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: