Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКовтун, Г.П.
dc.contributor.authorЩербань, А.П.
dc.date.accessioned2014-01-19T22:01:17Z
dc.date.available2014-01-19T22:01:17Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractРассмотрены современные достижения в создании ростового оборудования для производства ПИ-GaAs методом ЖГЧ. Приведены сравнительные характеристики и анализ установок нового и предшествующего поколений.uk_UA
dc.identifier.citationРостовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53387
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехническая политикаuk_UA
dc.titleРостовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральскогоuk_UA
dc.title.alternativeОбладнання для вирощування в виробництві напівізолюючого GaAs за методом Чохральськогоuk_UA
dc.title.alternativeThe equipment for production SI-GaAs by LEC methoduk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
01-Kovtun.pdf
Розмір:
128.08 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006, № 6