Impurity scattering of band carriers

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBoiko, I.I.
dc.date.accessioned2017-05-29T13:36:52Z
dc.date.available2017-05-29T13:36:52Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractMobility of band carriers scattered on donors, partially ionized, partially neutral, at low temperatures, is considered in general and calculated for AIII-BV group crystals. It is shown that temperature dependence of mobility is determined by relationship between number of ionized and neutral donors and by average energy of electrons.uk_UA
dc.description.sponsorshipThe essential help of Dr. E. B. Kaganovich is gratefully acknowledged.uk_UA
dc.identifier.citationImpurity scattering of band carriers/ I.I. Boiko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 2. — С. 214-220. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 71.20. 72.20 Dp
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118238
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleImpurity scattering of band carriersuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
20-Boiko.pdf
Розмір:
1.74 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010, № 2