Поверхностные поляритоны на неровной границе, создаваемой рэлеевской волной

Abstract

Показано, что при распространении рэлеевского звука в полупроводниках возникает неоднородный приповерхностный плазменный слой, толщина которого превосходит область локализации звука. Его происхождение обусловлено поверхностными электронными состояниями, вызванными рэлеевской звуковой волной. В работе найден и исследован закон дисперсии поверхностных поляритонов в условиях неоднородной приповерхностной плазмы. Показано, что свойства поляритонов зависят от частоты и амплитуды рэлеевского звука.

Показано, що при поширенні релеєвського звуку в напівпровідниках виникає неоднорідний приповерхневий плазмовий шар, товщина якого перевершує область локалізації звуку. Походження цього шару обумовлено поверхневими електронними станами, які створені релеєвською звуковою хвилею. У роботі знайдено і досліджено закон дисперсії поверхневих поляритонів в умовах неоднорідної приповерхневої плазми. Показано, що властивості поляритонів залежать від частоти та амплітуди релеєвського звуку.

It is shown that in propagating the Rayleigh sound a heterogeneous near-surface layer appears in the semiconductor. The thickness of this layer exceeds the sound localization region. The appearance of the layer is stipulated by the surface electronic states stimulated by the Rayleigh wave. The dispersion law of surface polaritons under heterogeneous near-surface plasma conditions is obtained and studied in this paper. It is shown that the properties of the polaritons depend on the frequency and amplitude of the Rayleigh sound.