Investigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflections

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorKladko, V.P.
dc.contributor.authorDatsenko, L.I.
dc.contributor.authorKorchovyi, A.A.
dc.contributor.authorMachulin, V.F.
dc.contributor.authorLytvyn, P.M.
dc.contributor.authorShalimov, A.V.
dc.contributor.authorKuchuk, A.V.
dc.contributor.authorKogutyuk, P.P.
dc.date.accessioned2017-05-28T14:28:06Z
dc.date.available2017-05-28T14:28:06Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractWe studied possibilities of a nondestructive X-ray technique for testing short-period strained GaAs-AlAs superlattices. An analysis of the quasi-forbidden 200 reflections may be used for determination of superlattice layer structure parameters and sublayer thickness. The effect of irregularity of superlattice transition region on X-ray diffraction reflection curves and elastic strains in layers was studied.uk_UA
dc.identifier.citationInvestigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflections / V.P. Kladko, L.I. Datsenko, A.A. Korchovyi, V.F. Machulin, P.M. Lytvyn, A.V. Shalimov, A.V. Kuchuk, P.P. Kogutyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 3. — С. 392-396. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 68.65.Cd
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118048
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleInvestigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflectionsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
24-Kladko.pdf
Розмір:
620.67 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, № 3