Интегральная дифрактометрия наноразмерных дефектов в упруго изогнутом монокристалле

Abstract

С целью создания новых высокоинформативных методов диагностики случайно распределенных наноразмерных дефектов (СРНД), которые не могут наблюдаться традиционными неразрушающими методами, такими, как рентгеновская топография, для которой такие наноразмерные в одном из измерений либо во всех трех измерениях дефекты оказываются за пределами чувствительности метода, разработаны физические основы метода деформационных зависимостей полной интегральной отражательной способности (ПИОС), которая оказалась уникально чувствительной к СНРД.

З метою створення нових високоінформативних методів діягностики випадково розподілених нанорозмірних дефектів (ВРНД), які не можна спостерігати традиційними неруйнівними методами, такими, як Рентґенова топографія, для якої такі нанорозмірні в одному з вимірів або в усіх трьох вимірах дефекти виявляються за межами чутливості методу, розроблено фізичні основи методу деформаційних залежностей повної інтеґральної відбивної здатности (ПІВЗ), яка виявилася унікально чутливою до СНРД.

With the purpose of development of the new high-informative diagnostic techniques for the determination of the randomly distributed nanoscale defects (RDND), which are invisible by tradition non-destructive methods such as the x-ray topography, for which such small defects in one dimension or in three dimensions are appeared outside the method sensitivity limits, the basic physics are developed for the method of the strain-dependent total integrated reflecting power (TIRP), which appears unique sensitive to RDND.