Ионное легирование как способ контроля оптических свойств некоторых люминофоров

dc.contributor.authorКривошеев, Я.М.
dc.contributor.authorПетренко, А.Г.
dc.date.accessioned2020-04-21T13:06:42Z
dc.date.available2020-04-21T13:06:42Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractМетодом низкоэнергетичного ионного легирования исследованы процессы преобразования в люминофоре ZnS‹Cu›, проведен анализ произошедших изменений в спектрах отражения, поглощения, термостимулированной люминесценции (ТСЛ), фотолюминесценции (ФЛ)uk_UA
dc.description.abstractThe method of low-energy ion implantation has been used to investigate processes of transformation in phosphor ZnS‹Cu›, changes in spectra of reflection, absorption, termostimulated luminescence (TSL), photoluminescence (PL) have been analysed.uk_UA
dc.identifier.citationИонное легирование как способ контроля оптических свойств некоторых люминофоров / Я.М. Кривошеев, А.Г. Петренко // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 3. — С. 37-41. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn0868-5924
dc.identifier.otherРACS: 61.72.−y, 73.61.Ga
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168081
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherДонецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизика и техника высоких давлений
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleИонное легирование как способ контроля оптических свойств некоторых люминофоровuk_UA
dc.title.alternativeІонне легування як спосіб контролю оптичних властивостей деяких люмінофорівuk_UA
dc.title.alternativeIon implantation as a way of controlling optical properties of some phosphorsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
04-Krivosheev.pdf
Розмір:
314.39 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: