Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorKovalyuk, Z.D.
dc.contributor.authorMakhniy, V.P.
dc.contributor.authorYanchuk, O.I.
dc.date.accessioned2017-05-28T16:33:33Z
dc.date.available2017-05-28T16:33:33Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractVoltage-current characteristics forwardly biased heterojunctions p-GaSe-n-InSe made by the method of optical contact are analyzed. Asit was ascertained, the forward current is determined by tunnel-recombination processes at low voltages and overbarrier emission. The experimental characteristics are defined by the known theoretical expressions for anisotipical heterojunctions with the energy diagram by Andersen.uk_UA
dc.identifier.citationMechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions / Z.D. Kovalyuk, V.P. Makhniy, O.I. Yanchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 4. — С. 458-460. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 73.40.-c
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118074
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleMechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctionsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
08-Kovalyuk.pdf
Розмір:
312.87 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, № 4