Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorAvdeev, S.P.
dc.contributor.authorAgueev, O.A.
dc.contributor.authorKonakova, R.V.
dc.contributor.authorKudryk, Ya.Ya.
dc.contributor.authorLytvyn, O.S.
dc.contributor.authorLytvyn, P.M.
dc.contributor.authorMilenin, V.V.
dc.contributor.authorSechenov, D.A.
dc.contributor.authorSvetlichny, A.M.
dc.contributor.authorSoloviev, S.I.
dc.contributor.authorSudarshan, T.S.
dc.date.accessioned2017-06-04T16:00:24Z
dc.date.available2017-06-04T16:00:24Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractWe present experimental investigations of the effect of rapid thermal treatment with incoherent IR radiation, as well as electric-spark and electron-beam treatments, on the electric parameters of Ni(Ti) n-21R(6H)-SiC contacts. The results obtained show that pulse thermal treatment is an efficient technique for local change of parameters of heterogeneous metal/silicon carbide structures.uk_UA
dc.description.sponsorshipThe authors are indebted to Dr. Phys.-Math. Sci. P.А. Аlexandrov for provision of investigation of 21R-SiC samples and his permanent interest to this work.uk_UA
dc.identifier.citationEffect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters / S.P. Avdeev, O.A. Agueev, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, O.S. Lytvyn, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, D.A. Sechenov, A.M. Svetlichny, S.I. Soloviev, T.S. Sudarshan // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 3. — С. 272-278. — Бібліогр.: 30 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 73.40.Cg
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119122
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleEffect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parametersuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
09-Avdeyev.pdf
Розмір:
8.25 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2004, № 3