Компьютерное моделирование профилей имплантированных ионов Al⁺ в наноструктурную пленку Cu

Abstract

Методами математического моделирования исследованы зависимости профилей пространственного распределения имплантированных ионов от их угла падения на наноструктурные пленки. Построена компьютерная модель взаимодействия ионов с наноструктурными пленками и проведены расчеты имплантации ионов Al⁺ в медную пленку. Энергия падающих ионов была равна 1 кэВ, а угол падения α изменялся в интервале 0…80⁰. Показано, что при ионной обработке поверхности наноструктурных материалов существует интервал значения углов, при которых достигается максимальная концентрация ионов в облучаемой пленке.

Методами математичного моделювання досліджені залежності профілів просторового розподілу імплантованих іонів від їх кута падіння на наноструктурні плівки. Побудована комп'ютерна модель взаємодії іонів з наноструктурними плівками і проведені розрахунки імплантації іонів Al⁺ в мідну плівку. Енергія падаючих іонів дорівнювала 1 кеВ, а кут падіння α змiнювався в інтервалі 0…80⁰. Показано, що при іонної обробці поверхні наноструктурних матеріалів існує інтервал значення кутів, при яких досягається максимальна концентрація іонів в опромiнюванiй плівці.

In the work by methods of mathematical modeling, the dependences of the profiles of the spatial distribution of implanted ions on their angle of incidence on nanostructured films were studied. A computer model for the interaction of ions with nanostructured films was constructed and calculations were made for the implantation of Al⁺ ions into a copper film. The energy of the incident ions was 1 keV and the angle of incidence α varied in the range from 0 to 80⁰. It is shown that when ion surface treatment of nanostructured materials there is an interval of angles at which the maximum ion concentration in the irradiated film is reached.