Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЁдгорова, Д.М.
dc.date.accessioned2014-01-18T21:53:43Z
dc.date.available2014-01-18T21:53:43Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractВольт-амперные характеристики с неявно выраженным насыщением тока стока обусловлены постепенной частичной рекомбинацией носителей у истоковой части канала.uk_UA
dc.identifier.citationМеханизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 58-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53275
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микро- и наноэлектроникаuk_UA
dc.titleМеханизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходомuk_UA
dc.title.alternativeМеханізм насичення струму стоку польового транзистора з р–n-переходомuk_UA
dc.title.alternativeMechanism of drain current's saturation in the field transistor with p-n-junctionuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
17-Edgorova.pdf
Розмір:
111.07 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006, № 5