Influence of dissipation on a low-voltage dc current in a long SNS junction

dc.contributor.authorKulinich, S.I.
dc.contributor.authorShekhter, R.I.
dc.date.accessioned2018-02-09T10:53:05Z
dc.date.available2018-02-09T10:53:05Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractThe dc current through a voltage-biased long transparent SNS junction in a dissipative regime is considered. The problem under certain conditions is mapped onto exactly solvable model of energy pumping into a quasiballistic 1D quantum ring driven by time-dependent magnetic flux. A rich peak-like structure of the subgap current at low voltages is predicted. The maxima in the current correspond to resonant energy absorption for fractional values of the normalized bias voltage.uk_UA
dc.description.sponsorshipThe authors thank L.Y.Gorelik, M. Jonson, and I.V. Krive for valuable discussions. Financial support from the Swedish NFR (S.K.,R.S.) and the U. S. Department of Energy Office of Science through contract No. W-31-109-ENG-38 (R.S.) is gratefully acknowledged.uk_UA
dc.identifier.citationInfluence of dissipation on a low-voltage dc current in a long SNS junction / S.I. Kulinich, R.I. Shekhter // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 7. — С. 763-767. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn0132-6414
dc.identifier.otherPACS: 74.80.Fp, 74.50.+r
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130234
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherФізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизика низких температур
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectСильно коррелированные системы и высокотемпературная сверхпроводимостьuk_UA
dc.titleInfluence of dissipation on a low-voltage dc current in a long SNS junctionuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
10-Kulinich.pdf
Розмір:
106.03 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: