Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
| dc.contributor.author | Дружинин, А.А. | |
| dc.contributor.author | Марьямова, И.И. | |
| dc.contributor.author | Кутраков, А.П. | |
| dc.contributor.author | Лях-Кагуй, Н.С. | |
| dc.contributor.author | Маслюк, В.Т. | |
| dc.contributor.author | Мегела, И.Г. | |
| dc.date.accessioned | 2013-12-14T21:24:32Z | |
| dc.date.available | 2013-12-14T21:24:32Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.description.abstract | Исследовано влияние облучения различными дозами электронов с энергий до 14 МэВ на характеристики полупроводниковых тензорезисторов на основе нитевидных кристаллов кремния р-типа в различных температурных диапазонах. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, Н.С. Лях-Кагуй, В.Т. Маслюк, И.Г. Мегела // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 26-29. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 2225-5818 | |
| dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51887 | |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Технология и конструирование в электронной аппаратуре | |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.subject | Сенсоэлектроника | uk_UA |
| dc.title | Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 07-Druzhinin.pdf
- Розмір:
- 168.66 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: