Structural changes in molten CdTe

dc.contributor.authorShcherbak, L.
dc.contributor.authorFeychuk, P.
dc.contributor.authorPlevachuk, Yu.
dc.contributor.authorDong, Ch.
dc.contributor.authorSklyarchuk, V.
dc.date.accessioned2017-06-13T16:54:12Z
dc.date.available2017-06-13T16:54:12Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractShear viscosity (h) measurements of CdTe and CdTe + 2 at% In melts were performed using a cup viscometer up to 1403 K. The h(T) dependencies obtained during slow heating and cooling (Vh/c = = 10-15 K/h) show hysteresys near a melting point. According to the η(T) dependencies data drastic changes the melts structure occurred at 1376 K both during the heating and cooling of the melts.uk_UA
dc.description.sponsorshipThe authors are very grateful to Prof. Suck and Prof. O.E. Panchuk for the initiation of this work. The work is supported in part by European Union Grant «Coper-nicus» ERBIC 15 CT 960808.uk_UA
dc.identifier.citationStructural changes in molten CdTe / L. Shcherbak, P. Feychuk, Yu. Plevachuk, Ch. Dong, V. Sklyarchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 4. — С. 456-459. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 61.43.D, 64.70.D,66.20
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121214
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleStructural changes in molten CdTeuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
07-Shcherbak.pdf
Розмір:
104.51 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: