Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами

Abstract

Исследуются условия подавления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда германиевых p—n-диодов путем пассивации наночастицами. На поверхность германия методом импульсного лазерного осаждения при низких температурах наносили пленки оксида германия, содержащие германиевые нанокристаллы. Показано, что пассивация приводит к повышению теплового излучения прямо смещенного диода в спектральной области 3—12 мкм на 40—50% за счет увеличения эффективного времени жизни носителей в базе диода.

Досліджуються умови пригнічення поверхневої рекомбінації нерівноважних носіїв заряду ґерманійових p—n-діод шляхом пасивації наночастинками. На поверхню ґерманію методою імпульсного лазерного осадження за низьких температур наносили плівки оксиду ґерманію, що містять ґерманійові нанокристали. Показано, що пасивація призводить до підвищення теплового випромінення прямо зміщеної діоди в спектральній області 3—12 мкм на 40—50% за рахунок збільшення ефективного часу життя носіїв в базі діоди.

We study the conditions for suppression of surface recombination of nonequilibrium charge carriers in germanium p—n diodes by passivation with nanoparticles. The germanium oxide films containing germanium nanocrystals are deposited at low temperatures onto germanium surface using the pulsed-laser deposition technique. As shown, the passivation results in 40−50% growth of thermal radiation from a forward-biased diode in the 3−12 μm spectral range due to increase of the effective charge-carrier lifetime in the diode base.