Electric barrier formation in kind of connected dip and hump of electric potential near ECR point

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBarchuk, S.V.
dc.contributor.authorLapshin, V.I.
dc.contributor.authorMaslov, V.I.
dc.contributor.authorOnishchenko, I.N.
dc.contributor.authorTretyakov, V.N.
dc.date.accessioned2015-03-23T09:35:31Z
dc.date.available2015-03-23T09:35:31Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractThe self-consistent formation, observed in experiments, of the solitary barrier for plasma electrons and ions has been analytically described.uk_UA
dc.identifier.citationElectric barrier formation in kind of connected dip and hump of electric potential near ECR point / S.V. Barchuk, V.I. Lapshin, V.I. Maslov, I.N. Onishchenko, V.N. Tretyakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2002. — № 5. — С. 98-100. — Бібліогр.: 1 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1562-6016
dc.identifier.otherPACS: 52.25.-b
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78923
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherНаціональний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofВопросы атомной науки и техники
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectPlasma electronicsuk_UA
dc.titleElectric barrier formation in kind of connected dip and hump of electric potential near ECR pointuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
31-Barchuk.pdf
Розмір:
147.57 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Вопросы атомной науки и техники, 2002, № 5