Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБалицкий, А.А.
dc.date.accessioned2014-01-22T22:11:16Z
dc.date.available2014-01-22T22:11:16Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractМетодом молекулярно-пучковой эпитаксии селенида кадмия на слоистую подложку GaTe получена структура многокомпонентного состава с присутствием незначительной части металлического кадмия.uk_UA
dc.identifier.citationФормирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах / А.А. Балицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.— 2005.— № 2.— С. 59-61.— Бібліогр.: 11 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53557
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМатериалы электроникиuk_UA
dc.titleФормирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементахuk_UA
dc.title.alternativeФормування гетероструктур GaTe/CdSe для використання в сонячних елементахuk_UA
dc.title.alternativeFormation of GaTe/CdSe heterostructures for solar cells applicationsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
15-Balitsky.pdf
Розмір:
735.39 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 2