Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorTomashik, Z.F.
dc.contributor.authorDanylenko, S.G.
dc.contributor.authorTomashik, V.N.
dc.contributor.authorKravetski, M.Yu.
dc.date.accessioned2017-06-11T14:07:54Z
dc.date.available2017-06-11T14:07:54Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractThe nature and kinetics of InAs chemical dissolution and chemical cutting, in the bromine solutions in hydrobromic acid have been investigated. It was shown that at low (up to 6 vol.%) bromine concentrations the InAs dissolution rate grows linearly with bromine concentration. Such solutions may be used to chemically polish InAs. Solutions containing from 20 to 30 vol.% Br₂ in HBr dissolve InAs with the rate 25 to 50 µ/min forming polished surfaces with etch pits. Such solutions may be used to chemically cut indium arsenide.uk_UA
dc.identifier.citationChemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions / Z.F. Tomashik, S.G. Danylenko, V.N. Tomashik, M.Yu. Kravetski // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 4. — С. 73-75. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 81,65 C.
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120255
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleChemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutionsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
15-Tomashik.pdf
Розмір:
110.71 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, № 4