Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСтороженко, И.П.
dc.date.accessioned2016-09-12T19:09:48Z
dc.date.available2016-09-12T19:09:48Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractИзучен дрейф доменов и колебания тока в приборах на основе варизонных полупроводниковых нитридов InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN и AlBN. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А3В5 с подобным эффектом.uk_UA
dc.description.abstractВивчено дрейф доменів і коливання струму в приладах на основі варизонних напівпровідникових нітридів InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN і AlBN. Показано, що застосування варизонних напівпровідників дозволяє збільшити ширину робочого діапазону частот діодів Ганна. Проведено огляд варизонних напівпровідників А3В5 з подібним ефектом.uk_UA
dc.description.abstractThe drifting domain and current oscillations in devices based on graded-gap semiconductors are studied. It is shown that the use of graded-gap semiconductors can increase the width of the working frequency of Gunn diodes. The review of graded-gap semiconductors A3B5 having a similar effect is given.uk_UA
dc.identifier.citationРезонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 79-82. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1028-821X
dc.identifier.udc621.382.2
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105899
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofРадіофізика та електроніка
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectВакуумная и твердотельная электроникаuk_UA
dc.titleРезонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридовuk_UA
dc.title.alternativeРезонансні частоти діодів Ганна на основі варизонних напівпровідникових нітридівuk_UA
dc.title.alternativeResonance frequencies of Gunn diodes based on nitride graded-gap semiconductorsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
12-Storozhenko.pdf
Розмір:
469.7 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Радіофізика та електроніка, 2012, № 3