Динамические силы изображения и туннелирование в трехслойных системах
dc.contributor.author | Войтенко, А.И. | |
dc.contributor.author | Габович, А.М. | |
dc.contributor.author | Розенбаум, В.М. | |
dc.date.accessioned | 2021-02-04T14:51:53Z | |
dc.date.available | 2021-02-04T14:51:53Z | |
dc.date.issued | 1996 | |
dc.description.abstract | С учетом пространственной и временной дисперсий диэлектрических проницаемостей электродов рассчитаны динамические силы изображения в симметричных трехслойных М-I-М-структурах в первом порядке теории возмущений по параметру неадиабатичности. Показано, что в случае тонкого диэлектрического слоя толщиной 2l<< к⁻¹ где к⁻¹ — длина экранирования в электродах, координатная зависимость энергии сил изображения W(z) (—l<z<l) коренным образом отличается от известных классических выражений. А именно, статическое слагаемое Wst(z) является медленно меняющейся функцией z и в пределе кl -» 0 равно —е²кі2 (е — заряд электрона). В том же пределе динамическая поправкаΔW(z) к Wst(z) линейна по z и имеет разные знаки вблизи разных электродов. Указанные закономерности позволили получить простые аналитические зависимости туннельного тока от напряжения на электродах, которые сводятся к квазиклассическим выражениям для треугольного (трапецеидального) потенциального барьера с нетривиальными перенормировками значений работы выхода и электрического поля. Подробно обсуждаются вопросы применимости предложенной теории к различным экспериментальным ситуациям. | uk_UA |
dc.description.abstract | З урахуванням просторової та часової дисперсій діелектричних проникностей електродів розраховано динамічні сили зображення в симетричних тришарових Л/-/-Л/-структурах у першому порядку теорії збурень за параметром неадіабатичності. Показано, що у випадку тонкого діелектричного прошарку товщиною2l<< к⁻¹ где де к⁻¹— довжина екранування в електродах, координатна залежність енергії сил зображення W(z)(-l<z<t) докорінно відрізняється від відомих класичних виразів. А саме, статичний доданок (^(z) повільно змінюється як функція z і в граничному випадку кl-» 0 дорівнює — е²к/2 (є — заряд електрона). В тому ж граничному випадку динамічний додано. ΔW(z) до Wst(z) є лінійною функцією z та має різні знаки поблизу різних електродів. Вказані закономірності дозволили отримати прості аналітичні залежності тунельного струму від напруги на електродах, які зводяться до квазікласичних виразів для трикутного (або тра-пеціїдального) потенціального бар’єру з нетривіальними перенормуваннями роботи виходу та електричного поля. Детально обговорюються питання застосовності запропонованої теорії до різних експериментальних ситуацій. | uk_UA |
dc.description.abstract | The dynamic image forces in symmetrical three-layer M—I—M structures are calculated to the first order of the perturbation theory in non-adiabaticity parameter with taking into account the spatial and temporal dispersions of the electrode dielectric functions. For a thin insulating interlayer 2l<< к⁻¹ thick, where к⁻¹ is the electrode screening length, the co-ordinate dependence of image force energy W(z) (—l<z<l) is shown to be drastically different from the conventional classical expressions. Namely, the static contribution Wst(z) is a slowly varying function of z and in the limit кl -» 0 equals — е²к/2 (e is the electron charge). In the same limit the dynamic correction ΔW(z) to Wst(z) is linear in z and has different signs near various electrodes. The above results made it possible to derive simple analytic bias dependences of tunnel currents. The formal expressions look like the quasi-classical ones for triangular (or trapezoidal) potential barriers but with non-trivial renormalization of the work function and electrostatic field. The applicability of the proposed theory to various experimental situations is discussed in detail. | uk_UA |
dc.description.sponsorship | Один из авторов (А. Г.) благодарен J. М. Krans и И. К. Янсону за обсуждение их результатов для разломных контактов, стимулировавшее данное исследование. Работа была выполнена при поддержке INTAS, грант № 94-3862. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Динамические силы изображения и туннелирование в трехслойных системах / А.И. Войтенко, А.М. Габович, В.М. Розенбаум // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 1. — С. 86-98. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 0132-6414 | |
dc.identifier.udc | 538.935 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176411 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Физика низких температур | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.subject | По всем тематикам журнала | uk_UA |
dc.title | Динамические силы изображения и туннелирование в трехслойных системах | uk_UA |
dc.title.alternative | Dynamical image forces and tunneling in three-layer systems | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: