Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorТкачук, А.И.
dc.contributor.authorЦаренко, О.Н.
dc.contributor.authorРябец, С.И.
dc.contributor.authorТкачук, И.Ю.
dc.contributor.authorКовалёв, Ю.Г.
dc.date.accessioned2014-01-05T20:31:00Z
dc.date.available2014-01-05T20:31:00Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractПредложена лабораторная технология формирования поверхностно-барьерных диодов на основе эпитаксиальных гетероструктур Pb1-xSnxTe1-ySey/Pb0,8Sn0,2Te.uk_UA
dc.identifier.citationПолучение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶ / А.И. Ткачук, О.Н. Царенко, С.И. Рябец, И.Ю. Ткачук, Ю.Г. Ковалёв // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 42-44. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52648
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехнологические процессы и оборудованиеuk_UA
dc.titleПолучение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶uk_UA
dc.title.alternativeОтримання поверхнево-бар’єрних структур на основі чотирьохкомпонентних твердих розчинів А⁴В⁶uk_UA
dc.title.alternativeThe obtaining of barrier-surface structures on the base of А⁴В⁶ quaternary solid solutionsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
10-Tkachuk.pdf
Розмір:
165.27 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007, № 1