Взаимодействие магнитных слоев и поляризация спинов электронов в четырехслойных структурах из ферромагнитного и немагнитного полупроводников

dc.contributor.authorЗорченко, В.В.
dc.contributor.authorСипатов, А.Ю.
dc.contributor.authorВолобуев, В.В.
dc.date.accessioned2018-02-05T11:56:21Z
dc.date.available2018-02-05T11:56:21Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractДля полупроводниковых структур с двумя ферромагнитными барьерами и немагнитными слоями, являющимися потенциальными ямами для электронов, рассмотрены электронный энергетический спектр, энергия обменного взаимодействия магнитных слоев Еm и относительная поляризация спинов электронов β. На примере структур EuS/PbS (001) показано, что в случае статистики Ферми Еm является знакопеременной осциллирующей функцией ширины потенциальной ямы а между барьерами, причем при увеличении концентрации электронов в ямах n₀ и толщины немагнитного подслоя d между барьером и подложкой экстремумы Еm смещаются в сторону меньших а и их амплитуды быстро возрастают. При понижении температуры от точки Кюри в зависимости от а, n₀ и d энергия Еm может монотонно (или немонотонно) возрастать (по модулю) либо изменять знак с положительного на отрицательный, либо дважды менять знак. Поляризация β уменьшается при увеличении а, n₀ и d, совершая резкие скачки при изменении знака Еm. Для статистики Больцмана возможна только ферромагнитная ориентация намагниченностей барьеров (Еm< 0).uk_UA
dc.description.abstractThe electron energy spectrum, the energy Em of the exchange coupling between magnetic layers, and the relative polarization β of the electron spins in semiconductor structures with two ferromagnetic barriers and nonmagnetic layers acting as potential wells for electrons are considered. For the example of EuS/PbS(001) structures it is shown that in the case of Fermi statistics Em is a sign-varying oscillatory function of the width a of the potential well between barriers, and with increasing electron density n₀ in the wells and increasing thickness d of the nonmagnetic sublayers between the barrier and substrate, the extrema of Em are shifted to smaller aa and their amplitudes rapidly increase. As the temperature is lowered from the Curie point, the energy Em, depending on a, n₀, and d, can increase (in modulus) monotonically or nonmonotonically, change sign from positive to negative, or change sign twice. The polarization β decreases with increasing a, n₀, and d, undergoing sharp jumps when Em changes sign. For Boltzmann statistics only a ferromagnetic orientation of the barrier magnetizations (Em<0) is possible.uk_UA
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при поддержке гранта CRDF UP2-2444-KH-02.uk_UA
dc.identifier.citationВзаимодействие магнитных слоев и поляризация спинов электронов в четырехслойных структурах из ферромагнитного и немагнитного полупроводников / В.В. Зорченко, А.Ю. Сипатов, В.В. Волобуев // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 11. — С. 1209-1122. — Бібліогр.: 37 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn0132-6414
dc.identifier.otherPACS: 73.21.Ac, 75.50.Pp, 75.70.Cn
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130049
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherФізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизика низких температур
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectНизкотемпеpатуpный магнетизмuk_UA
dc.titleВзаимодействие магнитных слоев и поляризация спинов электронов в четырехслойных структурах из ферромагнитного и немагнитного полупроводниковuk_UA
dc.title.alternativeCoupling of the magnetic layers and electron spin polarization in four-layer structures of amplitude and nonmagnetic semiconductorsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
06-Zorchenko.pdf
Розмір:
221.39 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: