Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКруковский, С.И.
dc.contributor.authorНиколаенко, Ю.Е.
dc.date.accessioned2014-11-11T15:06:19Z
dc.date.available2014-11-11T15:06:19Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractCообщается об изготовлении и исследовании тандемных солнечных элементов на основе GaAs-InGaAs-AlGaAs с активной площадью 0,93 см². Туннельный переход применяется для соединения между собой верхней (AlGaAs) и нижней (InGaAs) ячеек тандемного солнечного элемента. Измеренные при спектральных условиях АМ 1,5 (1 солнце) значения плотности фототока и напряжения холостого хода достигали значений 14,2-15,1 мА/см² и 2,35-2,43 В, соответственно, а коэффициент полезного действия - 26,4-30,1%.uk_UA
dc.identifier.citationСолнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs / С.И. Круковский, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 39-40. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc621.383
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70717
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectЭнергетическая микроэлектроникаuk_UA
dc.titleСолнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAsuk_UA
dc.title.alternativeСонячні елементи на основі тандемиих гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
10-Krukovsky.pdf
Розмір:
64.83 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003, № 6