Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs

Гаркавенко, А.С.

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs

dc.contributor.author	Гаркавенко, А.С.
dc.date.accessioned	2013-12-12T23:09:32Z
dc.date.available	2013-12-12T23:09:32Z
dc.date.issued	2011
dc.description.abstract	Исследовано влияние уровня возбуждения и температуры на параметры излучения лазеров, созданных на основе радиационно модифицированных кристаллов GaAs n-типа с высокой оптической однородностью.	uk_UA
dc.description.abstract	Досліджено вплив рівня збудження і температури на параметри випромінювання лазерів, с творених на основі модифікованих за допомогою радіаційних технологій кристалів GaAs n-типу з високою оптичною однорідністю.	uk_UA
dc.description.abstract	The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on p-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies.	uk_UA
dc.identifier.citation	Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.udc	535.14:621.375.826
dc.identifier.uri	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51848
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs	uk_UA
dc.title.alternative	Тонка структура спектрів лазерного випромінювання при електронному нагнітанні на основі радіаційно модифікованих оптично однорідних нелегованих кристалів GaAs	uk_UA
dc.title.alternative	Fine structure of laser spectrum at electron-beam pumping based on radiation-modified optically homogeneous crystals of undoped GaAs	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1

Назва:: 07-Garkavenko.pdf
Розмір:: 298.89 KB
Формат:: Adobe Portable Document Format

Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1

Назва:: license.txt
Розмір:: 817 B
Формат:: Item-specific license agreed upon to submission
Опис:

Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011, № 5