Пространственное распределение сверхпроводящих параметров и особенности поведения цепочек тонкопленочных ВТСП джозефсоновских переходов

dc.contributor.authorЛукашенко, А.В.
dc.contributor.authorСиваков, А.Г.
dc.contributor.authorЖуравель, А.П.
dc.contributor.authorТурутанов, О.Г.
dc.contributor.authorДмитренко, И.М.
dc.date.accessioned2021-01-28T19:07:25Z
dc.date.available2021-01-28T19:07:25Z
dc.date.issued1996
dc.description.abstractИсследованы цепочки последовательно соединенных ВТСП контактов Джозефсона «ramp» типа. При помощи низкотемпературного сканирующего лазерного микроскопа измерены локальные значения критической температуры и тока как электродов, так и самих джозефсоновских контактов в цепочках. Обнаружено, что верхний и нижний электроды существенно различаются по качеству. В них возникает градиент критической температуры вдоль цепочек, что, в свою очередь, приводит к изменениям критических параметров самих джозефсоновских контактов. Изучены вольт-амперные характеристики, в том числе при воздействии СВЧ излучения, температурные зависимости сопротивления, критического и избыточного токов. Доказано существование неравновесной области вокруг «ramp» контактов, связанной с процессами проскальзывания фазы.uk_UA
dc.description.abstractДосліджено ланцюжки послідовно з'єднаних ВТНП контактів Джозефсону «ramp» типу. За допомогою низькотемпературного скануючого лазерного мікроскопу виміряно локальні значення критичної температури та струму як електродів, так і саме джозефсонівських контактів у ланцюжку. Знайдено, що верхній та нижній електроди суттєво відрізняються за якістю. У них виникає градієнт критичної температури вздовж ланцюжків, що, у свою чергу, призводить до змін критичних параметрів самих джозефсонівських контактів. Вивчено вольт-амперні характеристики, у тому числі під дією СВЧ випромінювання, температурні залежності опору, критичного та надлишкового струмів. Доведено існування нерівноважної області навколо «ramp» контакту, пов'язаної з процесами просковзування фази.uk_UA
dc.description.abstractThe arrays of ramp-type HTS Josephson junctions connected in series are studied. The local values of critical temperature and current of both electrodes and Josephson junctions in arrays are measured using low-temperature scanning laser microscope. The top and bottom electrodes are found to differ in quality, featuring а gradient of the critical temperature that causes the gradient of critical temperature and current of Josephson junctions along the array. The current-voltage characteristics, also under the microwave irradiation, as well as the temperature dependences of resistance, critical and excess currents are studied. The existence of а non-equilibrium region in the vicinity of the ramp junctions associated with phase slip processes is proved.uk_UA
dc.identifier.citationПространственное распределение сверхпроводящих параметров и особенности поведения цепочек тонкопленочных ВТСП джозефсоновских переходов / А.В. Лукашенко, А.Г. Сиваков, А.П. Журавель, О.Г. Турутанов, И.М. Дмитренко // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1113-1121. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn0132-6414
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174945
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherФізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизика низких температур
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectСвеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpнаяuk_UA
dc.titleПространственное распределение сверхпроводящих параметров и особенности поведения цепочек тонкопленочных ВТСП джозефсоновских переходовuk_UA
dc.title.alternativeSpatial distribution of superconducting parameters and peculiarities of behavior of arrays of HTS Josephson junctionsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
02-Lukashenko.pdf
Розмір:
1.56 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: