Sі–V центр в монокристаллах алмаза, выращенных в системах на основе магния

Abstract

В ростовой системе на основе Mg–C при p ≤ 8,2 ГПа и Т » 1800–2000 °C выращены структурно совершенные монокристаллы алмаза типа IIa + IIb и исследованы особенности роста алмаза на затравке. Методом фотолюминесцентной спектроскопии в выращенных кристаллах установлено наличие примесного центра кремния (S–V), рассмотрены причины его возникновения и предложена структурная модель этого примесного дефекта.

У ростовій системі на основі Mg–C при p ≤ 8,2 ГПа и Т » 1800 – 2000 °C вирощено структурно досконалі монокристали алмазу типу IIa + IIb та досліджено особливості росту алмазу на затравці. Методом фотолюмінесцентної спектроскопії у вирощених кристалах встановлено наявність домішкового центру кремнію (Si–V), розглянуто причини його виникнення та запропоновано структурну модель цього домішкового дефекту.

In the Mg–C system at p ≤ 8,2 GPa and T » 1800–2000 °C structurally perfect type IIa + IIb diamond single crystals were obtained and theirs growth characteristics were investigated. By the photoluminescence spectroscopy method in the grown crystals the presence of silicon centre (Si–V) was established, its structural model was proposed.