Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором

dc.contributor.authorДжангидзе, Л.Б.
dc.contributor.authorТавхелидзе, А.Н.
dc.contributor.authorБлагидзе, Ю.М.
dc.contributor.authorТалиашвили, З.И.
dc.date.accessioned2013-12-26T00:37:58Z
dc.date.available2013-12-26T00:37:58Z
dc.date.issued2009
dc.description.abstractПредложены различные технологические приемы, позволяющие получить правильную геометрию электрода в процессе электроосаждения меди и уменьшить внутреннее напряжение осаждаемого слоя.uk_UA
dc.description.abstractЕлектроосадження мідного електроду на підкладці Si здійснюється для отримання вакуумного нанозазору великої площі для термотунельних приладів. Для отримання правильної геометрії такого електроду і зменшення внутрішньої напруги в ньому використовували обертання катода, різні захисні маски, асиметричний струмовий режим, регулювання і стабілізацію температуриелектроліту. Зменшення діаметру електроду до 3 мм ізбільшення товщини кремнієвої пластини до 2 мм даєможливість виростити електрод з вигином порядка 2,5 нм/мм. Це дозволило отримати два конформні електроди з нанозазором менше 5 нм на площі 7 мм². Такконформні електроди можна використовувати в пристроях на основі тунельного проходження електронів.uk_UA
dc.description.abstractElectroplating of a Cu electrode on a Si substrate is carried into effect in order to get vacuum nano-clearance of a big area for the thermotunnel devices. For obtaining the correct geometry of such an electrode and reduction of the internal tension, there were used the rotation of the cathode, various protective masks, the dissymmetric current mode, the regulation and stabilization of electrolit s temperature. The diameter of electrode reduction down to 3 mm and the increase in thickness of an initial silicon plate up to 2 mm enable to grow up an electrode with a bend of about 2,5 nm/mm. Which made it possible to obtain two conform electrodes with the nano-clearance of less than 5 nm on the area of 7 mm². The conform electrodes of this type may be used in the device based on electrons tunnel transition.uk_UA
dc.identifier.citationЭлектроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором / Л.Б. Джангидзе, А.Н. Тавхелидзе, Ю.М. Благидзе, З.И. Талиашвили // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 2. — С. 37-42. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52044
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехнологические процессы и оборудованиеuk_UA
dc.titleЭлектроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазоромuk_UA
dc.title.alternativeЕлектроосадження конформних електродів для отримання тунельного переходу з вакуумним нанозазоромuk_UA
dc.title.alternativeElectroplating of the conform electrodes for obtaining of a tunnel transition with a vacuum nanoclearanceuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
10-Dzhangidze.pdf
Розмір:
239.7 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: