Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода

dc.contributor.authorРахматов, А.З.
dc.contributor.authorТашметов, М.Ю.
dc.contributor.authorСандлер, Л.С.
dc.date.accessioned2017-01-09T17:17:22Z
dc.date.available2017-01-09T17:17:22Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractПроведено исследование влияния электронов с энергией 4.5 МэВ и гамма-квантов с энергией 1.25 МэВ на величину прямого падения напряжения (UF), обратного тока (IR) и времени восстановления обратного сопротивления (trr) выпрямительного диода. Установлено, что соотношение между временем восстановле-ния обратного сопротивления и прямым падением напряжения при плотности прямого тока ~250 A/см² идентично в диодах, облученных как гамма-квантами, так и электронами. Облучение гамма-квантами ⁶⁰Co по сравнению с облучением электронами обеспечивает лучшее соотношение между уровнем обратного тока и соответствующим значением времени восстановления обратного сопротивления.uk_UA
dc.description.abstractПроведено дослідження впливу електронів з енергією 4.5 МеВ і гамма-квантів з енергією 1.25 МеВ на величину прямого падіння напруги (UF), зворотного струму (IR) і часу відновлення зворотного опору (trr) випрямного діода. Встановлено, що співвідношення між часом відновлення зворотного опору і прямим падінням напруги при щільності прямого струму ~250 A/см² ідентично в діодах, опромінених як гамма-квантами, так і електронами. Опромінення гамма-квантами ⁶⁰Co в порівнянні з опроміненням електронами забезпечує краще співвідношення між рівнем зворотного струму і відповідним значенням часу відновлення зворотного опору.uk_UA
dc.description.abstractThe study of influence of electrons with 4.5 МэВ energy and gamma-quantum with 1.25 МэВ energy to values of immediate voltage drop (UF), return current (IR) and time of restoration return resistance (trr) of rectifier diode is carried out. It is established that the ratio between time of restoration return resistance and direct immediate voltage drop at density ~250 A/sм² direct current is identical in diodes irradiated as gamma-quantum and as electrons. The irradiation by gamma-quantum ⁶⁰Co in comparison with the irradiation by electrons provides the best ratio between return current level and by appropriate value of restoration time return resistance.uk_UA
dc.description.sponsorshipАвторы выражают искреннюю благодарность и признательность доктору физико-математических наук, профессору М. Каримову и кандидату физико- математических наук М. Турсунову за плодотворное обсуждение результатов работы и весьма ценные замечания, использованные при написании статьи. Работа выполнена в рамках проекта ФА-Ф2- Ф066+Ф072 «Свойства и структуры полупроводни- ковых материалов, содержащих низкоразмерные нанокомпозиции и наночастицы» и контракта № 23/11 ОАО Фотон и ИЯФ АН РУз.uk_UA
dc.identifier.citationВлияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода / А.З. Рахматов, М.Ю. Ташметов, Л.С. Сандлер // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 3. — С. 26-33. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1562-6016
dc.identifier.udc621.315.592
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111367
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНаціональний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofВопросы атомной науки и техники
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФизика радиационных повреждений и явлений в твердых телахuk_UA
dc.titleВлияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диодаuk_UA
dc.title.alternativeВплив проникаючої радіації на параметри кремнієвого планарного високочастотного високовольтного випрямного діодаuk_UA
dc.title.alternativeInfluence of penetrating radiation on parameters of silicon planar high-voltage rectifier diodeuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
25-Rakhmatov.pdf
Розмір:
433.14 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: