Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
dc.contributor.author | Zaitsev, R.V. | |
dc.contributor.author | Kopach, V.R. | |
dc.contributor.author | Kirichenko, M.V. | |
dc.contributor.author | Doroshenko, A.N. | |
dc.contributor.author | Khrypunov, G.S. | |
dc.date.accessioned | 2018-06-15T12:37:04Z | |
dc.date.available | 2018-06-15T12:37:04Z | |
dc.date.issued | 2011 | |
dc.identifier.citation | Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon / R.V. Zaitsev, V.R. Kopach, M.V. Kirichenko, A.N. Doroshenko, G.S. Khrypunov // Functional Materials. — 2011. — Т. 18, № 4. — С. 497-503. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 1027-5495 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135592 | |
dc.language.iso | en | uk_UA |
dc.publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Functional Materials | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.subject | Modeling and simulation | uk_UA |
dc.title | Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon | uk_UA |
dc.title.alternative | Залежність часу життя неосновних носіїв заряду від типу та концентрації точкових дефектів у монокристалічному кремнії | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 16-Zaitsev.pdf
- Розмір:
- 402.78 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: