Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorАнуфриев, Л.П.
dc.contributor.authorБаранов, В.В.
dc.contributor.authorСоловьев, Я.А.
dc.contributor.authorТарасиков, М.В.
dc.date.accessioned2014-01-25T11:18:37Z
dc.date.available2014-01-25T11:18:37Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractТермическое испарение палладия в высоком вакууме позволяет получать слои Pd₂Si непосредственно в процессе напыления без последующей термообработки.uk_UA
dc.identifier.citationТехнология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки / Л.П. Ануфриев, В.В. Баранов, Я.А. Соловьев, М.В. Тарасиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 55-56. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53610
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехнологические процессы и оборудованиеuk_UA
dc.titleТехнология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шотткиuk_UA
dc.title.alternativeТехнологія отримання плівок силіциду паладію для потужних діодів Шоткіuk_UA
dc.title.alternativePalladium silicide films technology for power Schottky diodesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
11Anufriev.pdf
Розмір:
118.59 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 4