Влияние фазовых переходов на экситонный спектр поглощения K₂CdI₄

Abstract

Исследован спектр поглощения тонких пленок K₂CdI₄ в интервале энергий 3,6–5,1 эВ и температур 90–430 К при нагревании и охлаждении. По температурной зависимости спектрального положения Em(T) и полуширины Г(Т) длинноволновой экситонной полосы в K₂CdI₄ обнаружены фазовые переходы II рода при 400 и 220 К и I рода при 320 К. Последовательность фазовых переходов в K₂CdI₄ подобна последовательности в близких соединениях Rb₂CdI₄ и Cs₂CdI₄.

Досліджено спектр поглинання тонких плівок K₂CdI₄ в інтервалі енергій 3,6–5,1 еВ і температур 90–430 К при нагріванні й охолодженні. По температурній залежності спектрального положення Em(T) і напівширини Г(Т) довгохвильової екситонної смуги в K₂CdI₄ виявлено фазов і переходи II роду при 400 і 220 К та I роду при 320 К. Послідовність фазових переходів в K₂CdI₄ подібна до послідовності у близьких сполуках Rb₂CdI₄ і Cs₂CdI₄.

The absorption spectrum of K₂CdI₄ thin films was studied at energies ranged from 3,6 to 5,1 eV in a temperature interval 90–430 К on heating and cooling. The temperature dependences of spectral position and halfwidth of the long-wave exciton band, Em(T) and Г(Т), in K₂CdI₄ display second-order phase transitions at 400 and 220 K and first-order ones at 320 K. The sequence of the phase transitions in K₂CdI₄ is similar to that in Rb₂CdI₄ and Cs₂CdI₄.