Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
dc.contributor.author | Dubovyi, V.K. | |
dc.contributor.author | Kanevsky, S.O. | |
dc.contributor.author | Litovchenko, P.G. | |
dc.contributor.author | Opilat, V.Ya. | |
dc.contributor.author | Tartachnik, V.P. | |
dc.date.accessioned | 2018-06-19T16:22:26Z | |
dc.date.available | 2018-06-19T16:22:26Z | |
dc.date.issued | 2005 | |
dc.description.abstract | The GaP diode radiation-induced degradation has been established to be caused mainlу bу the reduction of the current carrier lifetime resulting from introduction of non-radiative deep levels of the radiation-induced defects. A thin structure has been revealed in the voltage-current characteristics (VAC) at temperatures lower than 90 К. The existence of oscillations are associated with the capturing of non-equilibrium current carriers bу traps followed bу thermal destruction thereof. A characteristic VAC feature of the neutron-irradiated samples is the occurrence of an N-like of negative differential resistance. This deviation from the VAC monotonicitу is explained bу thermallу-induced transformations of the disorder areas. | uk_UA |
dc.description.abstract | Установлено, что главной причиной радиационной деградации GaР-диодов является уменьшение времени жизни носителей тока в результате введения безызлучательных глубоких уровней радиационных эффектов. Выявлено тонкую структуру вольт-амперной характеристики (ВАХ) диодов в области температур ниже 90 К. Существование осцилляций связывается с захватом неравновесных носителей тока ловушками и их последующим термическим опустошением. Характерной особенностью ВАХ образцов, облученных нейтронами, есть возникновение N-образного участка отрицательного дифференциального сопротивления. Наличие таких отклонений от монотонности ВАХ объясняется термическими преобразованиями областей разупорядочення. | uk_UA |
dc.description.abstract | Встановлено, що головна причина радiацiйної деградацiї GaP-дiодiв - зменшення часу життя носiїв струму в результатi уведення безвипромiнювальних глибоких рiвнiв радiацiйних дефектiв. Виявлено тонку структуру вольт-амперних характеристик (ВАХ) дiодiв в областi температур нижче 90 К. Iснування осциляцiй пов'язується iз захватом нерiвноважних носiїв струму пастками та їх наступним термiчним спустошенням. Характерною особливiстю ВАХ зразкiв, опромiнених нейтронами, є виникнення N-подiбної дiлянки вiд'ємного диференцiального опору. Iснування цього вiдхилення вiд монотонностi ВАХ пояснюється термiчними перетвореннями областей розупорядкування. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects / V.K. Dubovyi, S.O. Kanevsky, P.G. Litovchenko, V.Ya. Opilat, V.P. Tartachnik // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 587-590. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 1027-5495 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138859 | |
dc.language.iso | en | uk_UA |
dc.publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Functional Materials | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.title | Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects | uk_UA |
dc.title.alternative | Деградація вольт-амперних характеристик фосфідо-галієвих діодів, що обумовлена радіаційними дефектами | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 32-Dubovyi.pdf
- Розмір:
- 230.03 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: