Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами

Abstract

Рассматриваются диоды, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления и умножения. Определяются условия реализации ОДП в диодах, токи, протекающие через диод, вольт-амперные характеристики диода, задачи, которые необходимо решить при дальнейших исследованиях диодов с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами. Предлагаются варианты планарных структур и структур типа «сэндвич».

Розглядаються діоди, у яких при певних напругах виникає негативна диференційна провідність (НДП) внаслідок тунелювання або резонансного тунелювання електронів крізь бічні межі діода, яка може бути використана для генерації, підсилення та помноження. Визначено умови реалізації НДП у діодів, струми, що проходять крізь діод, вольт-амперні характеристики діода, задачі, які необхідно розв’язати при подальших дослідженнях діодів з тунельними або резонансно-тунельними бічними межами. Пропонуються варіанти планарних структур і структур типа «сендвіч».

The diode that have negative differential conductivity (NDC) due to tunneling or resonance tunnel electron through lateral facet of the diode is considered. This diodes cab be used for generation, amplifier and frequency multiplication. The arising condition of NDC, current and current-voltage characteristics have been determined. The planar and type of “sandwich” diode structures are conceded.