Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorМокрицкий, В.А.
dc.contributor.authorГаркавенко, А.С.
dc.contributor.authorЗубарев, В.В.
dc.contributor.authorЛенков, С.В.
dc.date.accessioned2014-11-11T14:57:52Z
dc.date.available2014-11-11T14:57:52Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractВыполнено экспериментальное исследование возможности получения слоев с дырочной проводимостью в монокристаллах CdS и GaAs с помощью радиационного легирования. Для этого использован моноэнергетический поток быстрых нейтронов с энергией 14,5 МэВ. Измерения подтвердили возникновение подобных слоев. Описаны ядерные реакции, происходящие в кристаллах при воздействии нейтронов и приводящие к легированию акцепторами. На основе созданного таким путем р-n-перехода в CdS изготовлен светодиод и планируется изготовление и исследование инжекционного лазера.uk_UA
dc.identifier.citationРадиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия / В.А. Мокрицкий, А.С. Гаркавенко, В.В. Зубарев, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 14-17. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc536.84
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70711
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМатериалы для микроэлектроникиuk_UA
dc.titleРадиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлияuk_UA
dc.title.alternativeРадіаційне легування сульфіда кадмію та арсеніда галіюuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
4-Mokritsky.pdf
Розмір:
123.18 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003, № 6