Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом

dc.contributor.authorІндутний, І.З.
dc.contributor.authorМинько, В.І.
dc.contributor.authorШепелявий, П.Є.
dc.contributor.authorСопінський, М.В.
dc.contributor.authorТкач, В.М.
dc.contributor.authorДанько, В.А.
dc.date.accessioned2017-05-13T20:40:20Z
dc.date.available2017-05-13T20:40:20Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractДосліджено процес формування фотонних структур на поверхні мікропрофільованих кремнієвих підкладок. Формування рельєфної структури на кремнієвій пластині у вигляді матриці виступів субмікронних розмірів здійснювали за допомогою інтерференційної літографії з використанням вакуумних халькогенідних фоторезистів та селективного рідинного травлення. Для вирощування матриці SiOx-колон субмікронних розмірів на виступах мікропрофільованої підкладки використовувалось термічне осадження монооксиду кремнію у вакуумі під ковзним кутом. Геометричн і параметри отриманих структур вивчено за допомогою високороздільного електронного та атомно-силового мікроскопів. Для характеризації отриманих структур проведено дослідження їх дифракційних та поляризаційних характеристик. Отримані кутові залежності дифракційної ефективності та ефективності конверсії поляризації демонструють анізотропні оптичні властивості двовимірних матриць SiOx-колон, що свідчить про можливість застосування таких структур як тонкоплівкових оптичних елементів.uk_UA
dc.description.abstractGrowth of photonic structures on the micropatterned silicon substrates has been studied. The interference lithography with vacuum chalcogenide photoresists and selective wet etching were used for formation of relief structure on the silicon wafer as the matrix of submicrometer hillocks. The two-dimensional photonic arrays of submicrometer SiOx columns were produced by thermal evaporation of silicon monoxide in vacuum and oblique deposition onto patterned Si surface. The geometrical parameters of the obtained structures were examined with high-resolution electron microscope and scanning probe microscope in the AFM tapping mode. Diffraction properties of the obtained photonic arrays and their polarization characteristics were also studied. The obtained angular dependences of diffraction efficiency and efficiency of polarization conversion demonstrate anisotropic optical properties of two-dimensional photonic SiOx arrays, and such structures have potential application as thin-film optical elements.uk_UA
dc.identifier.citationФормування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом / І.З. Індутний, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий, М.В. Сопінський, В.М. Ткач, В.А. Данько // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 49-56. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.uk_UA
dc.identifier.issn0233-7577
dc.identifier.udc535.421; 546.28; 621.793
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116696
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofОптоэлектроника и полупроводниковая техника
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleФормування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутомuk_UA
dc.title.alternativeGrowth of the photonic nanostructures using interference lithography and oblique deposition in vacuumuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
06-IndutnyiNEW.pdf
Розмір:
550.97 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: