Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния

dc.contributor.authorИванчиков, А.Э.
dc.contributor.authorКисель, А.М.
dc.contributor.authorМедведева, А.Б.
dc.contributor.authorПлебанович, В.И.
dc.date.accessioned2013-12-30T23:11:32Z
dc.date.available2013-12-30T23:11:32Z
dc.date.issued2008
dc.description.abstractРассмотрены модель возникновения дефектов на поверхности поликристаллического кремния при обработке полупроводниковых пластин в травителе, а так-же модель удаления этих дефектов в растворах химикатов.uk_UA
dc.identifier.citationМетоды удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния / А.Э. Иванчиков, А.М. Кисель, А.Б. Медведева, В.И. Плебанович // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 42-47. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52392
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехнологические процессы и оборудованиеuk_UA
dc.titleМетоды удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремнияuk_UA
dc.title.alternativeМетоди видалення дефектів, що виникають при рідинному травленні поверхні полікристалічного кремніюuk_UA
dc.title.alternativeMethods of removal of defects arising at liquid etching of polycrystalline siliconuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
10-Ivanchikov.pdf
Розмір:
175.51 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: