Использование суспензий на основе пирогенного кремнезема для химико-механической полировки монокристаллического кремния
dc.contributor.author | Гайшун, В.Е. | |
dc.contributor.author | Косенок, Я.А. | |
dc.contributor.author | Тюленкова, О.И. | |
dc.contributor.author | Туров, В.В. | |
dc.contributor.author | Гунько, В.М. | |
dc.date.accessioned | 2019-02-14T20:18:57Z | |
dc.date.available | 2019-02-14T20:18:57Z | |
dc.date.issued | 2008 | |
dc.description.abstract | В статье описывается методика приготовления полирующих суспензий на основе наноразмерных частиц пирогенного кремнезема, приводятся их основные технологические характеристики, а также даются рекомендации по их использованию в химико-механической полировке полупроводниковых пластин монокристаллического кремния. | uk_UA |
dc.description.abstract | This article describes a preparation technique of polishing suspensions based on pyrogenic silicon dioxide nanoparticles, determines their basic technical characteristics, and also the guidelines on their usage are given in the mechano-chemical polishing process of semiconductor wafers of single-crystalline silicon. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Использование суспензий на основе пирогенного кремнезема для химико-механической полировки монокристаллического кремния / В.Е. Гайшун, Я.А. Косенок, О.И. Тюленкова, В.В. Туров, В.М. Гунько // Поверхность. — 2008. — Вип. 14. — С. 423-428. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 2617-5975 | |
dc.identifier.udc | 546.28 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147497 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Поверхность | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.subject | Наноматериалы и нанотехнологии | uk_UA |
dc.title | Использование суспензий на основе пирогенного кремнезема для химико-механической полировки монокристаллического кремния | uk_UA |
dc.title.alternative | Usage of suspensions based on fumed silica for mechano-chemical polishing of single-crystalline silicon | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 52-Gaishun.pdf
- Розмір:
- 120.16 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: