Влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка

Abstract

Исследовано влияние облучения электронами с энергией 90 МэВ в интервале флюенсов 10⁹…101¹⁶ эл/см² на микрохрупкость селенида цинка n-типа со структурой сфалерита. Установлено, что облучение вызывает увеличение длин трещин при постоянной нагрузке. В интервале флюенсов 10⁹…10¹³ эл/см² наблюдалось повышение критичеcкой нагрузки, при которой образовывались трещины. Показано, что доминирующее влияние на механические свойства селенида цинка оказывают кластеры дефектов, для образования которых требуется энергия выше 400 эВ.

Вивчався вплив опромінення електронами з енергією 90 Мев в інтервалі флюенсів 10⁹...10¹⁶ ел/см² на мікрокрихтість селениду цинку n-типу з структурою сфалериту. Встановлено, що опромінення призводить до збільшення довжин тріщин при постійному навантаженні. В інтервалі флюенсів 10⁹...10¹³ ел/см² спостерігалось підвищення критичного навантаження, при якому утворювались тріщини. Показано, що домінуючий вплив на механічні властивості селеніду цинку справляють кластери дефектів, для утворення яких потрібна енергія вища за 400 еВ.

The influence of 60 MeV electron irradiation (fluences between 10⁹ and 10¹⁶ el/sm² ) on the mikrobrittleness of n-type sphalerite-structure zinc selenide has been investigated. It was found that irradiation caused the crack lengths to increase under constant load. In the fluence range of 10⁹ to 10¹³ el/sm² , an increase was observed in the critical load, at which cracks were formed. It is shown that the mechanical properties of zinc selenide are dominantly influenced by the defect clusters, for the formation of which an energy over 400 eV is needed.