Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГорбань, А.Н.
dc.contributor.authorКравчина, В.В.
dc.contributor.authorГомольский, Д.М.
dc.contributor.authorСолодовник, А.И.
dc.date.accessioned2014-01-01T17:31:06Z
dc.date.available2014-01-01T17:31:06Z
dc.date.issued2008
dc.description.abstractУстановлено, что диодные структуры с минимальным временем восстановления и максимальным коэффициентом формы тока восстановления могут быть сформированы после облучения электронами с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6x10¹⁵ см⁻².uk_UA
dc.identifier.citationОсобенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов / А.Н. Горбань, В.В. Кравчина, Д.М. Гомольский, А.И. Солодовник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 35-40. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52426
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микро- и наноэлектроникаuk_UA
dc.titleОсобенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодовuk_UA
dc.title.alternativeОсобливості формування швидковідновлювальних кремнієвих діодівuk_UA
dc.title.alternativeSpecifies of the formed fast cover silica diodesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
09-Gorban.pdf
Розмір:
183.87 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008, № 3