Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorАкбаров, К.
dc.contributor.authorАбдулхамидов, А.
dc.contributor.authorАлимов, Н.
dc.contributor.authorОтажонов, С.М.
dc.contributor.authorШмарова, М.
dc.date.accessioned2010-04-19T14:41:27Z
dc.date.available2010-04-19T14:41:27Z
dc.date.issued2008
dc.description.abstractСоздана перспективная пара полупроводников CdTe-ZnSe, в которой, кроме прямой передачи световых сигналов, будет обеспечено накопление зарядов. Фотодетектор данного типа будет работать без внешнего источника, если поликристаллический слой CdTe будет обладать аномально большим фотонапряжением (АФН). При этом повышено эффективность собирания излучения люминофора на 80%.uk_UA
dc.description.abstractСтворено перспективну пару напівпровідників CdTe-ZnSe, у якій, крім прямої передачі світлових сигналів, буде забезпечене нагромадження зарядів. Фотодетектор даного типу буде працювати без зовнішнього джерела, якщо полікристалічний шар CdTe буде володіти аномально великою фотонапругою (АФН). При цьому підвищено ефективність збирання випромінювання люмінофора на 80%.uk_UA
dc.description.abstractIt is created perspective couple of CdTe-ZnSe semiconductors, in which charge accumulation will be provided, expert light signals direct transimition. This photodetector will work with out an external source, if polycrystall CdTe film has anomal large photoresistance (APV), besides the effectivity of luminophor irradiation gathering up to 80 % is increased.uk_UA
dc.identifier.citationСтимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями / К. Акбаров, А. Абдулхамидов, Н. Алимов, С.М. Отажонов, М. Шмарова // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1999-8074
dc.identifier.udc621.315.593
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7860
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНауковий фізико-технологічний центр МОН та НАН Україниuk_UA
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleСтимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнямиuk_UA
dc.title.alternativeСтимулювання аномальної фотонапруги під дією зовнішнього електричного поля в нанокристалічних структурах на основі CdTe-ZnSe із глибокими примісними рівнямиuk_UA
dc.title.alternativeStimulation anomalous photoresistance under action external electric field in nanocrystalline structure CdTe-ZnSe with deep impurity levelsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
06-Akbarov.pdf
Розмір:
211.89 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
929 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Физическая инженерия поверхности, 2008, № 1-2