Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs

Abstract

Предложен метод измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур с участками крутого падения с использованием измерительного переменного напряжения умеренно малых амплитуд.

Показано, що вольт-фарадні характеристики, що мають ділянки крутого падіння, зокрема вольт-фарадні характеристики тонкоплівкових структур GaAs, можуть бути виміряні при помірно малих амплітудах змінної напруги (порядку 100 мВ) за рахунок проведення вимірювань на двох різних амплітудах. Цей висновок підтверджено результатами числового розрахунку позірної ємності епітаксіальних структур GaAs.·

It is shown that capacitance voltage characteristics that feature steeply dropping regions, in particular those of GaAs thin-film structures, may be measured at moderately small amplitudes of the measuring AC voltage (of the order of 100 mV) at the expense of taking measurements at two different amplitudes. This conclusion is confirmed by the results of numerical calculation of the apparent capacitance of GaAs epitaxial structures.