Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСтронский, А.В.
dc.contributor.authorВлчек, М.
dc.contributor.authorСкленарж, А.
dc.date.accessioned2015-03-13T06:38:54Z
dc.date.available2015-03-13T06:38:54Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractИсследованы особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag. На основном этапе фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag наблюдается параболическая зависимость толщины слоя продуктов от экспозиции Н и контролирующими можно полагать диффузионные процессы. Спектры комбинационного рассеяния продуктов фотостимулированного взаимодействия и слоев As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag анализировались в рамках молекулярной модели. Обсуждены также особенности образования металл-халькогенидных связей. Дифракционная эффективность решеток, записанных на системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag, составляла ~ 60 % в поляризованном свете.uk_UA
dc.identifier.citationОсобенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag / А.В. Стронский, М. Влчек, А. Скленарж // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 5. — С. 87-90. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1562-6016
dc.identifier.udc539.216.22: 771.5; 539.219.3; 535.84.853.31
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78238
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНаціональний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofВопросы атомной науки и техники
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectПленочные материалы и покрытияuk_UA
dc.titleОсобенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Aguk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
17-Stronskyy.pdf
Розмір:
195.16 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Вопросы атомной науки и техники, 2000, № 5