Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГуба, С.К.
dc.date.accessioned2018-07-15T08:12:16Z
dc.date.available2018-07-15T08:12:16Z
dc.date.issued1998
dc.description.abstractНовый низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии позволяет получить изопериодные гетероструктуры In₁₋ᵪGaᵪAs/InP.uk_UA
dc.description.abstractThe new low temperature isothermic method of the chloride epitaxy allows to obtain isoperiodic heterostructures In₁₋ᵪGaᵪAs/InP.uk_UA
dc.identifier.citationНизкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs / С.К. Губа // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 2. — С. 40-42. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140762
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМатериалы для компонентовuk_UA
dc.titleНизкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAsuk_UA
dc.title.alternativeНизькотемпературний iзотермiчний метод хлорiдної епiтаксiї In₁₋ᵪGaᵪAsuk_UA
dc.title.alternativeThe low temperature isothermic method of chloride epitaxia of In₁₋ᵪGaᵪAsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
13-Guba.pdf
Розмір:
108.47 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструиров. в электронной аппаратуре, 1998, № 2