Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering

dc.contributor.authorLitvinenko, V.N.
dc.contributor.authorVikulin, I.М.
dc.contributor.authorGorbachev, V.E.
dc.date.accessioned2020-04-12T11:45:54Z
dc.date.available2020-04-12T11:45:54Z
dc.date.issued2019
dc.description.abstractThe paper considers the causes and mechanisms of the influence of defects and impurities on the reverse current of the Schottky diode. The influence of two getter regions, which were created by different technologies on the working side and the reverse side of the plate, on the value of the reverse current of diodes was experimentally investigated, and the physical factors of such influence were analyzed. The proposed technology for creating getter regions allows one to significantly reduce the reverse current of diodes and increase the product yield.uk_UA
dc.description.abstractВ настоящей работе исследованы влияние структурных дефектов и примесных загрязнений поверхности на уровень обратных токов ДШ и эффективность применения операций геттерирования для его снижения и повышения выхода годных приборов. Установлено, что причинами низкого процента выхода годных структур ДШ при контроле уровня их обратных токов являются окислительные дефекты упаковки, образующиеся в активных областях диодов в процессе проведения термического окисления, и примесные загрязнения на поверхности диодных структур. Предложена технология изготовления структур ДШ с двумя геттерными областями, одна из которых создана имплантацией аргона на обратной стороне пластины, вторая — диффузией бора на рабочей стороне пластины.uk_UA
dc.description.abstractУ даній роботі досліджено вплив структурних дефектів і домішкових забруднень поверхні на рівень зворотних струмів ДШ і ефективність застосування операцій гетерування для його зниження і підвищення виходу придатних приладів. Встановлено, що причинами низького відсотка виходу придатних структур ДШ при контролі рівня їх зворотних струмів є окислювальні дефекти упаковки, що утворюються в активних областях діодів в процесі проведення термічного окислення, і домішкові забруднення на поверхні діодних структур. Запропоновано технологію виготовлення структур ДШ з двома гетерними областями, одна з яких створена імплантацією аргону на зворотному боці пластини, друга — дифузією бору на робочій стороні пластини.uk_UA
dc.identifier.citationImprovement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering / V.N. Litvinenko, I.М. Vikulin, V.E. Gorbachev // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 1-2. — С. 34-39. — Бібліогр.: 23 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.otherDOI: 10.15222/TKEA2019.1-2.34
dc.identifier.udc621.382
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167866
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехнологические процессы и оборудованиеuk_UA
dc.titleImprovement of the reverse characteristics of Schottky diodes using getteringuk_UA
dc.title.alternativeУлучшение обратных характеристик диода Шотки при использовани гемтерированияuk_UA
dc.title.alternativeПоліпшення зворотних характеристик діода шотткі при використанні гетеруванняuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
05-Litvinenko.pdf
Розмір:
660.26 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: