ZnO as a conductive layer prepared by ALD for solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu₁.₈S heterostructure

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorSemikina, T.V.
dc.contributor.authorMamykin, S.V.
dc.contributor.authorGodlewski, M.
dc.contributor.authorLuka, G.
dc.contributor.authorPietruszka, R.
dc.contributor.authorKopalko, K.
dc.contributor.authorKrajewski, T.A.
dc.contributor.authorGierałtowska, S.
dc.contributor.authorWachnicki, L.
dc.contributor.authorShmyryeva, L.N.
dc.date.accessioned2017-05-26T08:56:39Z
dc.date.available2017-05-26T08:56:39Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractZnO films with high conductivity are obtained by atomic layer deposition for application in solar cells based on n CdS/ n CdTe / p Cu₁.₈S heterostructure. The parameters of solar cells with ZnO electrode are calculated from light and dark currentvoltage characteristics and compared with those obtained for structures with Mo contact. The advantages of ZnO electrode are discussed.uk_UA
dc.description.sponsorshipThis work was partially supported by the European Union within the European Regional Development Fund, through the Innovative Economy grant ( POIG.01.01.02 - 00 -108/09 ).uk_UA
dc.identifier.citationZnO as a conductive layer prepared by ALD for solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu₁.₈S heterostructure / T.V. Semikina, S.V. Mamykin, M. Godlewski, G. Luka, R. Pietruszka, K. Kopalko, T.A. Krajewski, S. Gieraltowska, L. Wachnicki, L.N. Shmyryeva // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2013. — Т. 16, № 2. — С. 111-116. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 77.55.hf; 88.40.jm, jn, jp
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117676
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleZnO as a conductive layer prepared by ALD for solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu₁.₈S heterostructureuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
17-Semikina.pdf
Розмір:
1.4 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2013, № 2