Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorИванов, В.Н.
dc.contributor.authorКовтонюк, В.М.
dc.contributor.authorНиколаенко, Ю.Е.
dc.date.accessioned2014-01-18T20:16:03Z
dc.date.available2014-01-18T20:16:03Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractРазработанная технология позволила создать диоды Ганна, работающие на частоте до 80 ГГц с КПД до 4% и выходной мощностью 40 мВт.uk_UA
dc.description.sponsorshipСтатья подготовлена в рамках украинской Государственной программы развития техники и технологий сверхвысоких частот на 2005-2009 годы.uk_UA
dc.identifier.citationТехнология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн / В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 5-7. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53248
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехника и технологии СВЧuk_UA
dc.titleТехнология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волнuk_UA
dc.title.alternativeТехнологія виготовлення GaAs-діодів Гана для діапазону коротких міліметрових довжин хвильuk_UA
dc.title.alternativePhysical-technological of producing GaAs Gunn diodes operating in the range of short millimeter wave lengthsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
02-Ivanov.pdf
Розмір:
84.62 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006, № 5