High voltage modulators based on solid-state elements for linacs (review)

Abstract

The data on developing and creating high-voltage pulse modulators for linacs with using Insulator Gate Bipolar Transistors (IGBT) and Integrated Gate Commutate Thyristors (IGCT) are presented. Comparative analysis of main characteristics such as efficiency, reliability and cost are made for standard modulator and semiconductor high voltage sources with different scheme topology.

Наводяться дані по розробці і створенню високовольтних (ВВ) імпульсних модуляторів для прискорювачів з використанням біполярних транзисторів з ізольованим затвором IGBT і тиристорів, що замикаються, з убудованим блоком керування типу IGCT. Проводиться порівняльний аналіз основних характеристик, таких як ККД формування, надійність, вартість, для стандартних модуляторів і напівпровідникових ВВ джерел з різною топологією схем.

Приводятся данные по разработке и созданию высоковольтных (ВВ) импульсных модуляторов для ускоителей с использованием биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT и запираемых тиристоров со встроенным блоком управления типа IGCT. Проводится сравнительный анализ основных характеристик, таких как КПД формирования, надежность, стоимость, для стандартных модуляторов и полупровoдниковых ВВ источников с различной топологией схем.