Electric properties of the interface quantum dot — matrix

Abstract

A theoretical research is presented concerning the potential distribution and electric field intensity in the InAs/GaAs nanoheterosystem with InAs QDs within the framework of self-consistent electron-deformation model. It is shown that at the strained border between a quantum dot and matrix there is a double electric layer, that is n⁺ - n junction.

У межах моделi самоузгодженого електрон-деформацiйного зв’язку, теоретично дослiджено розподiл потенцiалу та напруженостi електричного поля в напруженiй наногетеросистемi InAs/GaAs з квантовими точкам InAs. Показано, що на напруженiй межi квантова точка – матриця виникає подвiйний електричний шар, тобто n⁺ - n перехiд.