Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГоловата, Н.В.
dc.contributor.authorМарків, В.Я.
dc.contributor.authorБілявина, Н.М.
dc.date.accessioned2023-02-09T15:49:33Z
dc.date.available2023-02-09T15:49:33Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractМетодом рентгенівського фазового та рентгеноструктурного аналізів досліджено відпалені при 800 °С сплави системи Gd—Si—Ga.uk_UA
dc.description.abstractМетодом рентгеновского фазового и рентгеноструктурного анализов исследованы отожженные при 800 °С сплавы системы Gd—Si—Ga.uk_UA
dc.description.abstractThe annealed at 800 °C alloys of the іGd—Si—Ga system have been studied by means of X-Ray powder diffraction.uk_UA
dc.identifier.citationІзотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C / Н.В. Головата, В.Я. Марків, Н.М. Білявина // Украинский химический журнал. — 2013. — Т. 79, № 8. — С. 102-105. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.uk_UA
dc.identifier.issn0041–6045
dc.identifier.udc669.018.1:862’782’87
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187998
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherІнститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofУкраинский химический журнал
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectНеорганическая и физическая химияuk_UA
dc.titleІзотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °Cuk_UA
dc.title.alternativeИзотермическое сечение диаграммы состояния системы Gd—Si—Ga при 800 °Cuk_UA
dc.title.alternativeIsothermal section of the phase diagram of the Gd—Si—Ga system at 800 °Cuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
05-Golovataya.pdf
Розмір:
390.1 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Украинский химический журнал, 2013, № 08